碳化硅造粒粉及烧制陶瓷制品技术指标[ 12-15 16:17 ]

碳化硅造粒粉及烧制陶瓷制品技术指标

碳化硅陶瓷的烧结[ 05-26 17:34 ]

1974年年美国GE公司通过在高纯度β-SiC细粉中同时加入少量的B和C，采用无压烧结工艺，于2020℃成功地获得高密度SiC陶瓷。目前，该工艺已成为制备SiC陶瓷的主要方法。美国GE公司研究者认为：晶界能与表面能之比小于1.732是致密化的热力学条件，当同时添加B和C后，B固溶到SiC中，使晶界能降低，C把SiC粒子表面的SiO2还原除去，提高表面能，因此B和C的添加为SiC的致密化创造了热力学方面的有利条件。然而，日本研究人员却认为SiC的致密并不存在热力学方面的限制。还有学者认为，SiC的致密化机理可能是液相烧结，他们发现：在同时添加B和C的β-SiC烧结体中，有富B的液相存在于晶界处。关于无压烧结机理，目前尚无定论。

碳化硅陶瓷耐磨结构件[ 05-26 17:27 ]

碳化硅陶瓷耐磨结构件，将以下成分的原料按所述重量百分比进行混合：石油焦45～55%、单质硅25～35%、纯净水19～30%、pH值在6.8～7.2之间的聚乙烯醇1～2%。它的制造方法包括配料、制浆、制模、成形、干燥、修坯、烧结、精整等步骤。本发明采用碳化硅陶瓷代替传统的耐磨合金生产耐磨结构件，不仅具有防腐防锈性能，而且高硬度、耐磨损、耐高温，使用寿命是高锰钢和高铬铸铁等耐磨金属的10倍以上，并且体积密度小，工件重量轻，可以降低运行时马达的功率消耗，节约了能源，利于推广应用。

关于金德微通道反应器详细介绍！[ 07-16 10:32 ]

金德微通道反应器，利用精密加工技术制造的特征尺寸在10到300微米（或者1000微米）之间的微型反应器，微通道反应器的“微”表示工艺流体的通道在微米级别，而不是指微反应设备的外形尺寸小或产品的产量小。微通道反应器中可以包含有成百万上千万的微型通道，因此也实现很高的产量。

金属材料“碳化硅”问世[ 12-17 16:41 ]

  美国杂志《科学》近日报告，中国科学家开发了一种工艺简单、可控性强的加工技术，制备出的金属材料足以媲美非金属材料碳化硅的硬度与稳定性。这一技术解决了纳米金属材料制备过程中普遍存在的无法同时提高硬度和热稳定性的难题，具有重要的工业应用价值。   这种加工技术名为机械表面研磨处理，由中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家(联合)实验室研发。实验室主任、中科院院士卢柯指出，这一技术工艺简单，可控性强，可适用于铝、铁、镍及其合金等多种工程材料，与非金属材料碳化硅类似，制备出的金属材料兼具超高硬度和

金德碳化硅轴承相关行业应用技术[ 12-17 16:33 ]

  碳化硅陶瓷作为现代工程陶瓷之一，是一种人工合成的新型无机非金属材料。硬度仅次于金刚石，具有优良的耐化学腐蚀、耐磨、耐高温性能以及机械强度高、自润滑性能好、抗高温蠕变、摩擦系数小、导热系数高、热膨胀系数低等特点，可广泛用于石油、冶金、化工、机械、航空、航天原子能等领域，常用做机械密封的摩擦副材料。大量试验表明，碳化硅是目前摩擦副中最优秀的材料，尤以无压烧结SiC和热压烧结SiC的性能最佳。   目前，国内生产的无压烧结SsiC主要性能指标已接近国外同类产品的水平。虽然热压烧结SiC的性能