- [金德百科]碳化硅陶瓷的合成与制备[ 2016-05-16 16:10 ]
- 碳化硅陶瓷的合成与制备
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- [金德百科]碳化硅陶瓷的合成与制备[ 2015-10-31 17:05 ]
- 碳化硅很难烧结，其晶界能与表面能之比很高,不易获得足够的能量形成晶界而烧结成块体。碳化硅烧结时的扩散速率很低，其表面的氧化膜也起扩散势垒作用。因此，碳化硅需要借助添加剂或压力等才能获得致密材料。本制件采用Al-B-C作为烧结助剂。硼(B)在SiC晶界的选择性偏析减小晶界能，提高烧结推动力，但过量的B会使SiC晶粒异常长大。添加C(碳)可以还原碳化硅表面对烧结起阻碍作用的SiO2膜，并使表面自由能提高。但过多的碳，使制品失重，密度下降。铝(Al)有抑制晶粒长大的用，并有增强硼的烧结助剂作用,但过量的Al却会使制件的高温强度下降。因此,必须通过试验合理确定Al，B，C的用量。
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